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根据中国的一个新的谣言,三星Galaxy S8将来自8GB的RAM,从6GB的P,我们到目前为止听到了。谣言以据说涉及三星相关泄漏的尖端的微博邮政的形式。
谣言指出,手机将运行内部SOC,使用10nm过程生产。它还表明,该设备将具有UFS 2.1闪存存储。
如果您错过了,韩国科技巨头本国最近的一份报告称,该手机将以两种尺寸有两种:约5英寸(Galaxy S8)和6英寸(Galaxy S8 Plus)。预计两者都将在4月份在纽约的活动中亮相。
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