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高通公司宣布将与三星合作,制造即将到来的Spandragon 835移动处理器。它将基于三星最新的10nm FinFET过程,使其成为其种类的最小。
根据Qualcomm的说法,新的10nm FinFET过程越高高达30%,效率越高,提高了27%的性能或功耗低40%。减少的占地面积将允许硬件制造商制作较小的设备或包括其他组件。
新处理器也将是第一个包含新的快速充电4。高通公司声称快速收费4提供了20%的充电,效率比快速充电30%,效率高于3,相应于其双电荷并行电荷技术。它还支持USB-C和USB电力传递标准,我们假设您将能够快速充电USB-PD设备,例如去年的Nexus和新像素电话,以及新的USB-C MacBook使用快速充电4充电器。
快速充电4包括用于最佳电压的第三代INOV或智能协商,现在提供实时热管理。高通公司还推出了两个新的电源管理IC,SMB1380和SMB1381,具有低阻抗,高达95%的峰值效率,以及电池差动传感等先进的快速充电功能。
Cappdragon 835预计将在2017年上半年进行设备。
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